하이닉스 "5월부터 41나노 낸드 본격양산"

세계 3위 낸드플래시메모리 제조사 하이닉스반도체는 오는 5월부터 41나노미터의 미세공정으로 제품을 생산을 본격 시작할 것이라고 밝혔다.

김종갑 하이닉스 사장은 26일 경기도 이천에서 열린 주주총회에서 "내일모레면 41나노 낸드플래시 개발을 마칠 예정"이라며 "다음달부터 고객사에 샘플 제공을 시작하고, 오는 5월부터는 41나노 낸드플래시 비중을 끌어올릴 것"이라고 전했다.

하이닉스는 현재 낸드플래시에 48나노까지 도입하고 있으며, 41나노에 이어 연말 32나노 공정까지 도입할 계획이다. 낸드플래시 업계 1위의 삼성전자는 오는 6월 32나노 낸드플래시 샘플을 공급하기 시작할 예정.

김 사장은 "업계 선두권의 D램과 달리 낸드플래시는 아직까지 1~2위 기업과 자사 간 격차가 존재하는 게 사실"이라며 "단 32나노를 도입하는 시점부터 격차가 거의 없어질 것"이라고 밝혔다.

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