하이닉스-뉴모닉스, 차세대 낸드개발 협력

하이닉스반도체(대표 김종갑)는 인텔과 ST마이크로의 합작사인 뉴모닉스(대표 브라이언 해리슨)와 차세대 낸드플래시 기술 및 제품에 대한 포괄적인 공동개발 계약을 맺었다고 6일 발표했다.

이번 계약으로 두 회사는 향후 5년 동안 플래시메모리 제품군 확대를 비롯해 신규제품 설계 및 차세대 기술 공동 개발로 낸드플래시 사업 경쟁력을 강화할 예정이다. 하이닉스는 지난 2003년 4월 뉴모닉스(당시 ST마이크로)와 플래시메모리에 대한 전략적 제휴를 맺었다. 현재 뉴모닉스와 중국 우시의 D램 공장을 합작으로 운영하고 있다.

두 회사는 이번 확대 계약으로 낸드플래시 공동 개발을 비롯해, 휴대폰 시장을 겨냥한 멀티 칩 패키지(MCP) 제품에 사용되는 모바일 D램에 대한 협력도 추진할 계획이다.

하이닉스는 이번 협력과 별도로 모바일 D램 주요 수요업체인 뉴모닉스에 제품을 대량 공급하게 돼, 연내 시장 점유율을 적잖이 끌어올릴 전망이다. 하이닉스는 지난 4월 66나노미터 공정기술을 적용한 세계 최고속 1기가비트(Gb) 모바일 LP(Low Power) DDR2 제품을 개발했다. 최근 저전력 모바일 D램을 비휘발성 메모리와 결합한 저전력 MCP 제품을 생산하는 등 모바일 D램 제품군을 확대하고 있다.

하이닉스는 이번 협력으로 뉴모닉스의 비휘발성 메모리 기술을 바탕으로 낸드플래시 공정세대 전환 시 기술적 한계를 극복할 수 있게 됐다. 또 인텔에서 뉴모닉스로 흡수된 우수인력을 활용해 소프트웨어 및 마이크로 콘트롤러 솔루션 노하우를 공유할 수 있을 것으로 기대하고 있다.

이를 바탕으로 낸드플래시 칩을 단순 실리콘에서 마이크로SD, eMMC 및 솔리드 스테이트 드라이브(SSD)같은 복합 시스템으로 향상시켜 복합 솔루션 시장에 효과적으로 진입할 수 있을 것으로 예보고 있다. 기존 낸드플래시의 플로팅 게이트(Floating Gate) 구조를 대체할 것으로 예상되는 CTD(Charge Trap Device) 개발에 있어, 뉴모닉스가 보유한 노어플래시 기술을 활용할 수 있게 돼 기술 경쟁력 확보에도 도움을 얻을 전망이다.

김종갑 하이닉스 사장은 "이번 협력으로 소프트웨어 및 콘트롤러 등 솔루션 제품의 경쟁력을 높여 성공적으로 관련 시장에 진입할 수 있을 것으로 기대한다"고 밝혔다.

브라이언 해리슨 뉴모닉스 사장은 "양사의 기술력과 하이닉스의 탁월한 비용절감 능력을 활용해 가격 경쟁력을 갖춘 첨단 플래시메모리 제품을 경쟁사보다 한 발 앞서 출시할 수 있을 것"이라고 말했다.

◇플로팅 게이트와 CDT는

플로팅 게이트는 낸드플래시에서 데이터(전하, 차지)를 저장하는 도체 물질로 콘트롤 게이트와 서브스트레이트 사이에 위치한다. 낸드플래시 분야에선 30나노급 공정까지 적용되고 있는 가운데 향후 더 미세한 공정에서 플로팅 게이트 낸드플래시는 간섭효과 때문에 기술적 한계에 도달할 것으로 예측되고 있다.

CTD는 전하를 기존 도체가 아닌 부도체 물질에 저장하는 것으로, 셀 간 간섭 문제를 해결한 차세대 낸드플래시 데이터 저장방식이다. CTD를 활용하면 낸드플래시 제조에 20나노급 이하 초미세 공정까지 적용해 생산량을 늘리고, 원가를 더 줄일 수 있을 것으로 기대되고 있다.

권해주기자 postman@inews24.com