하이닉스, 40나노급 DDR3 D램 세계첫 개발

50나노급 대비 생산성 50% ↑…3분기 양산

하이닉스반도체(대표 김종갑)는 44나노미터의 초미세 공정으로 1기가비트(Gb) 용량 DDR3 D램을 세계 최초로 개발했다고 8일 발표했다.

새 제품은 40나노급 공정으로 만든 첫 번째 DDR3 D램이다. 모듈제품의 인증을 위한 실험이 조만간 미국 PC용 중앙처리장치(CPU) 제조사 인텔에 의해 진행될 예정이다. 최근 삼성전자는 40나노급 공정으로 1Gb DDR2 D램을 개발, 인텔 등록을 마친 상태다.

하이닉스의 44나노 공정 기반 1Gb DDR3 D램은 현재 양산중인 54나노 공정 대비 약 50% 이상 생산성을 높일 수 있다. '3차원 트랜지스터 기술'로 누설전류를 제어해, 전력소비를 최소화했다.

또 향후 차세대 DDR3 D램의 표준속도가 될 전망인 초당 최대 2천133메가비트(Mbps)의 데이터 처리속도를 구현한다.

하이닉스는 44나노 공정 기반 DDR3 D램을 오는 3분기부터 양산할 계획이다. 이어 내년부터 다양한 용량의 DDR3 제품을 대규모로 양산해, DDR2 D램에 이어 확대될 수요에 대응한다는 방침이다. DDR3 제품의 초고속 동작과 낮은 소비전력 특성은 대용량 메모리 모듈, 모바일 D램, 그래픽 D램 등에 확대 적용할 예정이다.

삼성전자 역시 46나노 공정으로 오는 3분기부터 DDR3 D램을 양산키로 했다. 40나노급 공정은 해외경쟁사들이 내년 이후 개발을 목표로 하고 있는 차세대 기술이다. 국내 D램 제조사들은 점차 주력제품으로 자리잡을 DDR3 D램 시장에서 1~2년 앞선 공정기술로 업계를 선도할 전망이다.