하이닉스, 낸드 41나노-D램 44나노 공정 내년적용

하이닉스반도체는 낸드플래시메모리 부문 41나노미터 제조공정과 D램 부문 44나노 제조공정을 내년 중 도입할 예정이라고 30일 3분기 실적발표 설명회(IR)에서 밝혔다.

김종갑 하이닉스 사장은 "낸드플래시 시황이 워낙 좋지 않기 때문에 당초 올해 4분기 도입코자 했던 41나노 공정은 내년 1분기 도입키로 했다"며 "이후에도 당분간 41나노 비중이 크게 높아지진 않을 것"이라고 전했다.

하이닉스는 현재 낸드플래시 부문에 48나노까지 미세화 공정을 도입해 제품들을 생산하고 있다. 삼성전자, 도시바 등 경쟁사들이 40나노급 초반대 공정을 도입하고 있는 가운데, 48나노 공정으로 쌓은 경험을 바탕으로 내년 41나노에서 경쟁사들과 격차를 줄일 수 있을 것이란 기대다.

김 사장은 또 "D램 부문에서 66나노 공정의 수율이 정상 수준으로 가고 있다"며 "54나노 D램 공정의 경우 당초 목표로 했던 비중까지는 아니지만, 해외 경쟁사에 비해선 확실히 차별화된 진전을 보이고 있다"고 밝혔다. 또 "현재 D램 44나노 공정 개발도 좋은 신호를 보이고 있다"며 "내년 하반기 중 D램 부문도 40나노급으로 양산을 시작할 수 있을 것"이라고 덧붙였다.

메모리반도체 업계에서 제조공정의 미세화는 원가 및 성능 경쟁력과 직결된다. 2년 가까이 메모리반도체 가격이 하락하고 있는 가운데, 원가절감이 기업들에 있어 무엇보다 중요한 과제로 부각되고 있다.

하이닉스는 낸드플래시 가격 하락이 D램보다 심각한 만큼, 당분간 D램 부문에서 원가절감과 함께 고부가가치 제품 생산에 집중한다는 방침을 세우고 있다.

김 사장은 "D램 원가절감 면에서 우리가 업계 최고임을 자부한다"며 "올해 매출 대비 연구개발 비용의 비중이 11%로 목표치를 약간 상회하고 있는데, 다른 모든 것을 줄여도 연구개발 역량은 줄이지 않을 것"이라고 강조했다.

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