DB하이텍, 5G향 RF 사업 확대…"130·110nm 기반 공정 개발 완료"

[아이뉴스24 장유미 기자] DB하이텍이 RF프론트엔드 사업 확대에 본격 나섰다.

DB하이텍은 130nm(나노미터·1nm=10억분의 1m), 110nm 기술을 기반으로 RF SOI(Silicon-on-Insulator)와 RF HRS(High Resistivity Substrate) 공정을 확보했다고 12일 밝혔다.

RF프론트엔드는 무선 통신에 필수적인 제품으로 IT기기간 송신과 수신을 담당하며 스마트폰, IoT 등 통신이 필요한 분야에서 다양하게 활용되고 있다. 보통 안테나 튜너, 스위치, 저잡음증폭기(LNA, Low Noise Amplifier), 전력증폭기(PA, Power Amplifier) 등 각각의 부품이 한데 모인 모듈 형태로 구성돼 있다.

무선 통신 기술이 5G로 발전하면서 고주파, 고감도의 특성을 가진 고성능 통신에 대한 수요가 지속적으로 확대되는 가운데 RF 프론트엔드의 중요성도 점점 더 높아지고 있다. 이에 따라 RF프론트엔드 시장은 2019년 124억 불(약 14조7천600억원) 수준에서 2025년 217억 불(약 25조8천300억원) 수준까지 가파른 성장이 전망된다.

RF프론트엔드 내 여러 부품 중에서 DB하이텍이 공략하고 있는 제품은 스위치와 저잡음증폭기(LNA, Low Noise Amplifier) 이다. 스위치는 주파수를 송수신할 때 온·오프(On·Off)하는 역할을 하고, LNA는 주파수를 증폭시켜 보다 정확한 신호를 전달하는 것으로 5G 등 고속통신에 가장 핵심적인 제품이다.

DB하이텍 관계자는 "기존 RF 공정에 누설전류를 차단하거나 최소화하는 SOI와 HRS 웨이퍼를 더해 그 성능을 대폭 개선했다"고 설명했다.

특히 130nm 기술을 기반으로 한 RF SOI 공정의 경우 스위치의 FOM(Figure of Merit)이 84fs, BV(Breakdown Voltage)가 4.4V로 세계 최고 수준의 성능을 보유하고 있다. LNA는 120GHz 컷 오프 프리퀀시(Cut-off frequency, Ft)까지 지원 가능하며 올해 상반기 내 150GHz 이상의 LNA 제품을 지원할 수 있도록 준비 중이다.

DB하이텍 관계자는 "110nm 기술을 기반으로 한 RF HRS(High Resistivity Substrate) 공정은 우수한 가격 경쟁력을 가지고 있다"며 "스위치의 FOM은 164fs이고 BV는 4.6V이며 100GHz 컷 오프 프리퀀시 성능을 가지는 LNA 소자를 보유하고 있다"고 말했다.

이어 "올해 상반기 내 150GHz 이상의 LNA 제품을 지원할 수 있도록 개발 중"이라며 "팹리스 고객들이 RF프론트엔드 시장에 적기에 진입할 수 있도록 고객 지원에 적극적으로 나서고 있고, 고객사의 개발비 절감을 위해 분기별로 MPW도 운영하고 있다"고 덧붙였다.

/장유미 기자(sweet@inews24.com)