[아이뉴스24 장유미 기자] SK하이닉스가 현존 최고 사양 D램인 'HBM3'를 업계 최초로 개발하며 '고부가' 프리미엄 메모리 시장 공략에 속도를 낸다.
SK하이닉스는 지난해 7월 업계 최초로 HBM2E D램 양산을 시작한 지 1년 3개월 만에 HBM3를 개발했다고 20일 밝혔다.
![SK하이닉스가 업계 최초로 개발한 HBM3 D램 [사진=SK하이닉스]](https://image.inews24.com/v1/7dfd577d8032fc.jpg)
HBM(High Bandwidth Memory)은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치, 고성능 제품이다. 이번 HBM3는 HBM의 4세대 제품으로, HBM은 1세대(HBM), 2세대(HBM2), 3세대(HBM2E) 순으로 개발돼 왔다. 이 중 HBM2E는 2세대 HBM에서 일부 성능을 개선한 확장(Extended) 버전이다.
SK하이닉스 관계자는 "이번 HBM3를 통해 지금까지 나온 HBM D램 중 최고 속도, 최대 용량을 구현했다"며 "품질 수준도 크게 높였다"고 강조했다.
속도 측면에서 HBM3는 초당 819GB(기가바이트)의 데이터를 처리할 수 있다. 이는 FHD(Full-HD)급 영화(5GB) 163편 분량의 데이터를 1초 만에 처리하는 수준이다. 이전 세대인 HBM2E와 비교하면 속도가 약 78% 빨라졌다.
이와 함께 이 제품에는 오류정정코드(On Die - Error Correction Code)가 내장돼 있다. HBM3는 이 코드를 통해 D램 셀(Cell)에 전달된 데이터의 오류를 스스로 보정할 수 있어 제품의 신뢰성도 크게 높아졌다.
이번 HBM3는 16GB와 24GB 두 가지 용량으로 출시될 예정이다. 특히 24GB는 업계 최대 용량이다. 24GB를 구현하기 위해 SK하이닉스 기술진은 단품 D램 칩을 A4 용지 한 장 두께의 3분의 1인 약 30마이크로미터(μm, 10-6m) 높이로 갈아낸 후 이 칩 12개를 TSV 기술로 수직 연결해냈다. TSV(Through Silicon Via)는 D램 칩에 수천 개의 미세한 구멍을 뚫어 상층과 하층 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극으로 연결하는 상호연결 기술이다.
앞으로 HBM3는 고성능 데이터센터에 탑재되며 인공지능(AI)의 완성도를 높이는 머신러닝(Machine Learning)과 기후변화 해석, 신약개발 등에 사용되는 슈퍼컴퓨터에도 적용될 전망이다.
차선용 SK하이닉스 D램 개발 담당 부사장은 "세계 최초로 HBM D램을 출시한 당사는 HBM2E 시장을 선도한 데 이어 업계 최초로 HBM3 개발에 성공했다"며 "앞으로도 프리미엄 메모리 시장의 리더십을 공고히 하는 한편, ESG 경영에 부합하는 제품을 공급해 고객 가치를 높이기 위해 최선을 다하겠다"고 말했다.
/장유미 기자(sweet@inews24.com)
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