[삼성 컨콜 종합] "반도체 경쟁력 문제 없어…3년 내 M&A 검토"

[아이뉴스24 민혜정 기자] "반도체 경쟁력에 문제 없다."

삼성전자가 2분기에 12조원이 넘는 영업이익을 거뒀고, 이 중 절반 이상을 반도체가 견인했지만 29일 실적 발표 후 열린 컨퍼런스콜에서는 반도체 경쟁력을 우려하는 질문이 많았다.

이와 관련해 삼성전자는 "반도체 경쟁력에 문제가 없다"며 기술 경쟁력을 자신했고 "3년 내 의미있는 인수·합병(M&A)도 검토하겠다"고 강조했다.

삼성전자는 경쟁사들이 극자외선(EUV) 노광 장비를 잇달아 도입하고, 176단 낸드플래시를 양산하는 데 대해 그동한 축적한 기술 노하우로 대응하겠다고 자신했다.

삼성전자 관계자는 "EUV 설비를 구매하고 적용한다고 다가 아니라 마스크 검사 등 에코시스템을 구축해야 한다"며 "EUV 활용 노하우를 축적해 내재화해야 하고, 기술 시너지를 극대화시킬 수 있어야 한다"고 강조했다.

이어 "2000년대 중반부터 EUV 공급업체들과 에코시스템을 구축했다"며 "EUV 관련 기술 지식을 쌓아 왔다"며 "5개 레이어(Layer, 층)에 EUV를 적용한 14나노 D램을 하반기에 양산할 예정"이라고 덧붙였다.

삼성전자는 마이크론 등 경쟁사가 176단 낸드를 양산하며 경쟁사와 기술격차가 좁혀지고 있다는 지적에 단수 자체가 고민 지점이 아니라고 강조했다.

한진만 삼성전자 메모리 전략마케팅실 부사장은 "V낸드 경쟁력과 관련해 고민 포인트는 단수 자체가 아니다"라며 "삼성은 싱글 스택만으로 128단 낸드 경쟁력을 확보한 상황이고, 효율적으로 쌓아올리는 시점과 방법이 고민"이라고 강조했다.

이어 "단수에만 집중하기보다는 원가 측면에서 경쟁력이 있는지가 집중 포인트"라고 덧붙였다.

삼성전자는 게이트올어라운드(GAA) 기술을 적용하는 3나노미터 공정과 관련해 내년 양산을 목표로 차질없이 개발 중이라고 밝혔다. GAA는 기존 핀펫((FinFET) 기술보다 전력 효율을 높일 수 있는 기술이다. 삼성은 이를 TSMC보다 앞서 적용한다는 계획이다.

삼성전자는 관계자는 "GAA는 내년 양산될 3나노 1세대, 2022년에 양산될 3나노 2세대에 적용될 예정"이라며 "차질없이 공정을 개발 중"이라고 강조했다.

이어 "3나노 1세대 공정은 고객사와 제품 설계를 진행 중"이라고 말했다.

삼성전자는 미래 성장 동력 마련을 위해 M&A을 추진하겠다는 뜻도 재차 밝혔다. 성장동력 마련에 도움이 된다면 사업 영역이나 규모에 제한을 두지 않고 적극 검토에 나선다는 방침이다.

삼성전자 관계자는 "그동안 다양한 분야에서 M&A를 위해 많은 준비를 해왔다"며 "현재 대내외 불확실성이 많은 상황이기 때문에 실행 시기를 특정하기는 어렵지만, 3년 안에 의미 있는 규모의 M&A 실현 가능성을 긍정적으로 보고 있다"고 강조했다.

이어 "M&A 추진할 때 회사의 지속 성장에 도움이 된다면 사업 영역이나 규모에 제한을 두고 있지 않다"며 "AI, 5G, 전장 등을 포함해 새로운 성장동력으로 판단되는 다양한 분야에 대해 적극 검토 중에 있다"고 설명했다.

경쟁사와 기술 격차 우려에 EUV 장비·메모리 경쟁력에 노하우 강조